日本制造出一个原子厚的硅薄膜
时间:2017-12-08

   日本制造出一种原子厚的硅膜

  日本北陆科学技术大学日前宣布,研究小组开发出了能够制造大面积硅薄膜的技术,这是一种原子厚膜,具有半导体特性,用于制造高速电子电路。

  该团队覆盖了一个2厘米长,1厘米宽的带有陶瓷膜的硅衬底表面,并在特殊的真空中将其加热到900摄氏度。结果,硅衬底中含有的硅元素穿透陶瓷薄膜并出现在陶瓷薄膜的表面上以形成硅薄膜。如果衬底制造得更大,则可以制造更大面积的硅膜。

  只有一个碳原子厚的石墨烯是迄今为止世界上最薄的材料,其发明者凭借这一神奇材料获得了2010年诺贝尔物理学奖,Silicene被誉为硅石和物理界的关注焦点。

  日本科学技术大学副教授研究负责人Koshimura在Sita指出,接下来的任务是了解silicene的形成机理,并开发剥离薄膜的技术。